End-to-End Memory Data Path(端到端存储数据路径)

arch-study 第三阶段(Day 17–22) 收官:把 DRAM、一致性、同步、SSD、NoC 从「分章知识点」拼成一条 load 指令的真实路径,并用 AMAT 量化各级贡献。

Source: arch-study-30d-day-22.md(Day 22 阶段总结)

传统 CPU 全路径

Core → L1 → L2 → LLC → NoC → Memory Controller → DRAM
  ↑                              ↓ (写回/DMA)
  └──────── coherence / atomic ← NoC ← 远端 Core/LLC
  ↓ (冷数据)
SSD / NVMe
层级典型延迟
L1~1 cycle
L2~10 cycles
LLC~40 cycles
NoC(跨 die)~10–50 ns
DRAM~100 ns(tRCD+tCAS+burst)
SSD/NVMe50 μs–10 ms(GC 尖峰)

详见 Memory Hierarchy and Cache、DRAM and Memory System、SSD and NVMe Storage System、NoC Fundamentals (H&P Appendix F)。

AMAT 层级展开

AMAT = HT_L1 + MR_L1 × (HT_L2 + MR_L2 × (HT_LLC + MR_LLC × Penalty_DRAM))

必须用条件概率逐层嵌套——不能用 AMAT 算 AMAT。

教科书例题(L1: 1c/5% miss;L2: 10c/3%|L1 miss;LLC: 40c/30%|L2 miss;DRAM: 200c):

AMAT = 1 + 0.05 × (10 + 0.03 × (40 + 0.30 × 200))
     = 1.65 cycles  →  @3 GHz ≈ 0.55 ns

贡献分解:

来源cycles占比
L1 hit(必付)1.060.6%
L1 miss → L2 hit0.530.3%
→ LLC hit0.063.6%
→ DRAM0.095.5%

敏感性结论(Day 22 练习):

  • 降 L1 hit time 1→0.5 cycle:AMAT −30%(最大)——每次访问都付 hit time
  • LLC miss rate 30→15% 或 DRAM 200→100 cycle:各仅 −2.7%——因 MR 小,深层优化乘积有限
  • 启示:HBM「延迟减半」对 AMAT 收益小,除非 LLC miss 已很高

内存墙(Memory Wall)时间线

Wulf & McKee:内存访问时间改善远慢于 CPU 频率 → Memory_Wall_Gap = CPU_Clock / Memory_Access 单调增。

世代解药机制
Cache 层次L1/L2/L3
Huge Pages减 TLB miss
Prefetch隐藏延迟
HBM / 3D DRAM带宽解药,非延迟
PIM重构数据移动方向
WSE 式消除 off-chip,全 on-chip SRAM

见 Quantitative Architecture Fundamentals、DRAM and Memory System。

一致性协议决策树

需要 MESI/目录?
├── 共享地址空间? → 否 → 不需要(WSE 走此分支)
│   ├── 多核共享数据 + 同时读写? → 是 → 需要

WSE:每 PE 私有 SRAM + NoC 消息传递 → 无 MESI/Directory。见 Cache Coherence、Memory Consistency Model。

同步原语成本(量级)

原语典型延迟
Memory Fence (x86 MFENCE)~50–200 ns
Atomic CAS(L1 命中)~20–100 ns
Lock acquire~50–500 ns
Barrier(多核)~1–10 μs
WSE 硬件 barrier~1–10 ns(单时钟域 + 短链路)

见 Memory Fence and Barrier。

WSE 简化路径

传统: Core → L1 → L2 → LLC → NoC → MC → DRAM   (~100+ ns 到 DRAM)
WSE:  Core → on-chip SRAM(NoC 搬运,~10 ns 量级)
              冷数据                    热数据
                │                         │
                ▼                         ▼
         SSD/NVMe ── DMA ── DRAM ── Cache ── Core
         (10-100μs)  (1μs)  (100ns) (1-40c)  (1c)
                              │
                              │ NoC → 远端 LLC (50-100ns)

WSE 简化(无 off-chip):

    on-chip SRAM (distributed, ~43 GB)
              │
              │ 2D Mesh (~632 hop avg, 21 PB/s)
              ▼
         ~900K SLA PE
  • 无 L1/L2/L3/DRAM miss 概念——SRAM 即存储
  • 无 coherence 协议——显式消息 + placement(SpaDA)
  • 容量瓶颈:~43 GB SRAM vs 大模型权重 → streaming / 模型并行 / memoryX NVMe tier

LLM 100 GB×10 次访问量级(Day 22 练习):

  • H100 + HBM3:1 TB / 3 TB/s ≈ 333 ms(纯传输)
  • WSE SRAM:1 TB / 21 PB/s ≈ 48 μs → 传输加速 ~7000×(未计 overlap/布局)

第三阶段知识地图(Day 17–22)

Day主题概念页
17DRAM / 内存墙DRAM and Memory System
18Cache 一致性Cache Coherence
19同步 / Memory OrderingMemory Consistency Model
20SSD / NVMe / RAIDSSD and NVMe Storage System
21NoC / 互连NoC Fundamentals (H&P Appendix F)
22本页端到端综合

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Citations

[1] arch-study-30d-day-22.md — 存储篇阶段总结(Day 22) [2] arch-study-30d-day-17.md — DRAM(Day 17) [3] arch-study-30d-day-20.md — SSD/NVMe(Day 20) [4] arch-study-30d-day-21.md — NoC(Day 21) [5] arXiv:2609.13592 — BOOST host+HBM CAP [6] arXiv:2609.15636 — HBF 供给膝点 [7] arXiv:2609.09643 — UNISON [8] arXiv:2609.18675 — HBFlex [9] arXiv:2609.17652 — Fathom [10] arXiv:2609.19207 — MeshKV [11] arXiv:2609.23816 — SPLASH [12] arXiv:2609.29246 — HBF-Sim [13] arXiv:2609.28870 — Fancy Eviction [14] arXiv:2609.30854 — KV Cache Memory Wall SoK [15] arXiv:2609.33184 — SpecStream [16] arXiv:2609.34612 — SPIMOE [17] arXiv:2609.32278 — RR-Evict [18] arXiv:2609.36938 — Janus [19] arXiv:2609.37626 — SPLASH-layouts [20] arXiv:2609.39131 — Characterizing HBF LLM Serving [21] arXiv:2610.08378 — Lachesis